7月28日下午，中意企业家委员会第七次会议开幕式在北京人民大会堂举行，国务院总理李强与意大利总理梅洛尼共同出席并致辞。本次会议由中国商务部与意大利外交与国际合作部共同主办，两国150余位企业家参加开幕式。三安光电副董事长、总经理林科闯应邀出席。

开幕式结束后，林科闯在接受记者采访时表示，当下新一轮科技革命和财产变革正深入推进，全球财产链的合作与重塑孕育着无限商机。三安光电力争积极把握国际化合作机遇，携手意法半导体投资建设重庆三安意法项目——拟历时5年在重庆建立一个全新8英寸碳化硅芯片合资制造厂，一期工程将于今年年底前通线，这将为公司实现走向国际化目标迈出坚实一步。

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中意两国总理与部分企业家代表合影  图片来源：央视新闻

2023年6月，三安光电和意法半导体同时官宣在重庆合资建厂，进行8英寸碳化硅（SiC）芯片大规模量产计划，是去年半导体领域最吸引眼球的跨国合资项目之一。意法半导体是全球半导体龙头企业，三安光电拥有强大的化合物半导体代工能力，项目预计投资总额达32亿美元（约合人民币228亿元），预计营收将达139亿元人民币，将于2028年全面达产。同时，三安光电独立投资70亿元人民币配套建设一座8英寸碳化硅衬底厂。重庆三安意法项目签约落地是具有战略性、基础性的布局，整个项目投产后，将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。

重庆三安意法项目由重庆三安半导体有限责任公司（以下简称“重庆三安”）和安意法半导体有限公司（以下简称“安意法”）共同开展建设。其中，“衬底厂”重庆三安由三安光电全资子公司湖南三安于2023年7月全资设立，注册资本18亿人民币，专业从事碳化硅晶圆生长、衬底制造，规划达产年生产能力为8英寸碳化硅衬底48万片，“芯片厂”安意法由湖南三安（51%）与意法半导体（中国）投资有限公司（49%）于2023年8月共同出资设立，注册资金6.12亿美元，规划达产年生产能力为8英寸碳化硅车规级MOSFET功率芯片48万片。

重庆三安意法项目有条不紊建设中，目前正处于设备进场安装调试的关键阶段，衬底厂预计8月底将实现点亮通线，安意法预计11月底将整体通线，一年半时间整体通线这也将创造“国际化碳化硅晶圆厂”新的建设纪录。今年6月底衬底厂已经举行主设备入场仪式，7月底主厂房机电、洁净进度等完成约70%，综合动力站和综合办公楼等基本施工完成。截至7月底，安意法芯片厂主厂的房屋、动力站等完成85%，综合楼墙体、幕墙完成90%，洁净进度、机电等完成50%，均符合规划通线进度。

三安光电在推动国内外交流与合作方面一直走在行业前列。与国际半导体巨头意法半导体合作，共同投资建设8英寸碳化硅外延、芯片代工厂；与新能源汽车领军企业理想汽车成立合资公司，在碳化硅模块合作。既重视上游供应链合作，又紧密联系终端客户的双向策略，使得三安光电能够更好地把握市场脉搏，同时也为半导体财产的进步和新能源财产的繁荣做出积极贡献。

林科闯表示，三安光电已在化合物半导体领域深耕二十多年，致力于成为全球碳化硅财产的领导者。公司将竭力以最先进的技术、最高精尖的设备、最有经验的管理团队、最成熟的财产发展经验，以最快速度推动项目早日建成投产。随着重庆项目建成投产，我们有信心继续在专业碳化硅晶圆代工市场占据优势地位。

谈到未来企业发展和国际化战略的思考，林科闯表示，三安光电希望努力将自身打造为一家具备国际竞争力的半导体厂商，始终聚焦于行业最尖端的技术研究与应用，坚持“技术﹢人才”的科技成果财产化模式，通过技术交流和市场合作，扩充和布局国际市场，提升国际竞争力，为企业加速“出海”构建坚实的“护城河”。

今年是三安光电实现国际化突破的重要年份。一方面，传统产品市场将加强产品结构调整，加速出海，终端商用显示屏、消费类电子、可穿戴产品是三安光电今年出海的市场聚焦点。另一方面，车用领域也是三安光电“出海”的着力点，与意法半导体的合作项目将成为其中的重要抓手。

三安光电为实现国际化发展目标，近年来在项目、人才、技术、销售、市场等方面做好了充分准备，不仅拥有国家级博士后科研工作站、国家级企业技术中心及院士工作站，以及由全球化合物半导体领域顶尖人才组成的技术研发团队，分别在厦门、硅谷、东京、慕尼黑、伦敦、新加坡设立研发中心，同时在中国、日本、美国、英国和德国建立销售机构。未来，三安光电积极拓宽各领域业务，不断提升全球价值链地位，为构建万物互联的智慧世界贡献力量。